[16a-A35-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[16a-A35-9] 裏面入射による電荷敏感型赤外光子検出器(CSIP)の量子効率向上

〇金 鮮美¹、小宮山 進^2,3、パトラシン ミハイル³、林 冠廷¹、根間 裕史¹、山中 和之¹、梶原 優介¹ (1.東大生研、2.東大総文、3.情通研)

キーワード：量子井戸、量子効率、裏面入射

電荷敏感型赤外検出器（CSIP: Charge Sensitive Infrared Phototransistor) の量子効率向上に向けて、GaAs 基板側から光を入射する裏面入射を検討する。裏面入射で量子効率が向上することがシミュレーションの結果で得られているが、実験的に確かめるため、Cross-hole arrayの光カプラを持つCSIPを作製し、表面/裏面入射による量子効率を評価した。その結果、表面入射で12％から裏面入射の方で26％まで向上が確認され、裏面入射が量子効率向上に有効である事が分かった。