[16a-B9-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-B9-12] テラヘルツ電磁波発生による量子ドット周辺の歪みの変化の観測

〇小島 磨¹、和泉 亮¹、喜多 隆¹ (1.神戸大院工)

キーワード：量子ドット、テラヘルツ

量子ドットの作成においてキャップ層の成長はその特性を決定する要因の一つと言える。過去にInAs量子ドット表面に窒素原子を添加することで、量子ドットの光学特性が変化することが報告されている。その一方、半導体表面から放出されるテラヘルツ電磁波は、表面近傍のバンド構造の変化などの情報を得るのに適した方法である。そこで、今回、InAs量子ドット表面を窒素原子で覆った試料におけるキャップ層のGaAs層からのテラヘルツ電磁波を観測することで、歪みの変化を非破壊で観測した。