[16a-B9-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [16a-B9-3] Si(111)上InGaAs microdiscへのGa取り込みメカニズムの検討

〇渡邉 冬馬¹、中野 義昭¹、杉山 正和¹ (1.東大工)

キーワード：on Si、選択領域成長