講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-B9-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2016年9月16日(金) 09:00 〜 13:00 B9 (展示ホール内)

小西智也(阿南高専)、三浦広平(住友電工)

10:30 〜 10:45

[16a-B9-7] [講演奨励賞受賞記念講演] 気相反応抑制によるMOCVD法を用いた高品質AlInSb膜の成長方法

〇吉川陽¹、森下朋浩¹、永瀬和宏¹ (1.旭化成)

キーワード：AlInSb、MOCVD、InSb