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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16a-B9-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2016年9月16日(金) 09:00 〜 13:00 B9 (展示ホール内)

小西智也(阿南高専)、三浦広平(住友電工)

11:15 〜 11:30

[16a-B9-9] InP基板上への3μm帯発光InAsSb量子ナノ構造のMBE成長

〇(M2)永井大嗣¹、外川開斗¹、山口浩一¹ (1.電通大)

キーワード：分子線エピタキシー、量子ナノ構造