[16a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-C302-4] 4H-SiC Si面およびC面上に成長した熱酸化膜の光電子収率分光法による電子占有欠陥評価

〇渡辺 浩成¹、大田 晃生¹、池田 弥央¹、牧原 克典¹、宮崎 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：4H-SiC、PYS