2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.8 光計測技術・機器

[16a-C32-1~12] 3.8 光計測技術・機器

2016年9月16日(金) 09:00 〜 12:15 C32 (日航3階孔雀CD)

崔 森悦(新潟大)、安田 正美(産総研)

09:00 〜 09:15

[16a-C32-1] 表面再結合電荷によるシリコンフォトダイオードの応答非直線性

田辺 稔1 (1.産総研 計測標準)

キーワード:シリコンフォトダイオード、応答非直線性、表面再結合

シリコンフォトダイオード(Si-PD)は、絶対光パワー計測、広範な光パワーや波長範囲での測定が可 能な光検出器の一つである。ところが、Si-PDの個体によっては、入射波長に対して応答が増加する非直線性(スーパリニアリティ)を示すことがある。本研究では、可視光でのSi-PDの応答非直線性を定量的に解明するため理論と実測を用いた研究を実施した。