[16a-D61-1~11] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [16a-D61-7] MOCVD法によるGe基板上でのGe_1-xSn_xエピタキシャル成長（４）
Sb原子の持つサーファクタント効果によるSn濃度増加

〇須田 耕平¹、澤本 直美¹、町田 英明²、石川 真人²、須藤 弘²、大下 祥雄³、臼田 宏治⁴、広沢 一郎⁵、小椋 厚志¹ (1.明治大、2.気相成長(株)、3.豊田工大、4.(株)東芝、5.高輝度光科学研究セ)

キーワード：GeSn、MOCVD

本発表では、Sb原子のサーファクタント効果によるGe_1-xSn_x膜のSn濃度増加について報告する。