2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-A22-1~6] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2016年9月16日(金) 12:45 〜 14:15 A22 (メインホールB)

西中 浩之(京都工繊大)

13:30 〜 13:45

[16p-A22-4] Ar/N2混合スパッタで作製したアモルファスCuCrO2薄膜の固相成長

千葉 博1,2、保坂 直寿1、川島 知之1、鷲尾 勝由1 (1.東北大院工、2.学振特別研究員)

キーワード:デラフォサイト、固相成長、RFマグネトロンスパッタ法

これまでにRFマグネトロンスパッタ法によるCuCrO2薄膜形成において、アルゴン窒素混合(Ar/N2)ガス利用による定比性の改善効果と、アモルファスからの熱処理を用いた固相成長による傾斜配向抑制を見出している。本研究では、Ar/N2ガスにより定比性制御したアモルファスCuCrO2薄膜の固相成長を検討した。発表では、アモルファス膜の定比性と固相成長による配向性の関係について述べる。