[16p-A35-1~9] 3.13 半導体光デバイス

[16p-A35-9] 1.0μm帯広帯域量子ドットリッジ導波路型LDの開発

〇吉沢 勝美¹、沢渡 義規¹、赤羽 浩一²、山本 直克² (1.パイオニアマイクロテクノロジー(株)、2.情報通信研究機構)

キーワード：量子ドット、広帯域光源

光情報通信（光ICT）ネットワークでは、光情報通信利用の拡大に伴う光周波数帯域の枯渇が懸念されている。この点から、波長1.0μm帯：Tバンド（1.0～1.26μm）とOバンド（ 1.26～1.36μm）の新たな光周波数帯域の利活用が期待されている。我々は、この帯域における新しい光ゲイン材料や光ICTデバイスに関する研究開発を継続し、1.1μm帯における広帯域リッジ導波路型LDの開発、1.0μm帯での広帯域発光光源の開発を報告してきた。今回、InAs量子ドットを用いて1.0μm帯において広帯域性を示す良好なリッジ導波路型LDを開発したので報告する。