09:15 〜 09:30 [21a-S421-1] Rh触媒を用いたアルコールガスソース法による400°C以下での単層カーボンナノチューブ成長 〇小澤 顕成1、桐林 星光1、小川 征悟1、才田 隆広1、成塚 重弥1、丸山 隆浩1 (1.名城大理工)