10:45 〜 11:00 [20a-H113-6] n型ドーパント近傍におけるSi空孔クラスターの安定性に関する第一原理計算 〇河合 宏樹1、中崎 靖1、金村 貴永2 (1.東芝研開セ、2.東芝S&S)