13:30 〜 15:30 △ [20p-P9-16] Arプラズマエッチングを用いた二段階ゲートリセス構造を持つInGaAs系HEMTの試作とその特性 〇細谷 友崇1、尾辻 泰一1、末光 哲也1 (1.東北大通研)