15:00 〜 15:15 [20p-S422-6] SOI-FETにおける強誘電体HfO2の負性容量を利用した急峻スイッチングの検討:BOX膜厚設計の重要性 〇太田 裕之1,3、右田 真司1,3、福田 浩一1、服部 淳一1、鳥海 明2,3 (1.産総研、2.東大工、3.JST CREST)