11:00 〜 11:15 [20a-H101-8] EBSD-Wilkinson法によるSiCウェハ加工変質層の局所歪み解析 〇着本 享1,2、伊勢 立彦1,3、橋本 哲2、櫻田 委大2、先崎 純寿1、加藤 智久1、児島 一聡1 (1.産総研、2.JFEテクノリサーチ、3.旭ダイヤモンド工業)