13:30 〜 15:30 [21p-P9-2] エックス線吸収微細構造(XAFS)法によるMOCVD成長ゲルマニウムスズ(GeSn)薄膜の局所構造評価 〇臼田 宏治1、吉木 昌彦1、須田 耕平2、小椋 厚志2、富田 充裕1 (1.東芝、2.明治大学)