09:30 〜 11:30 [20a-P4-25] RF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上単一ドメインエピタキシャルグラフェンの欠陥密度制御 〇道幸 雄真1、和田 拓也2、今井 宏友1、橋本 明弘1 (1.福井大院工、2.福井大工)