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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[20a-S321-1~10] 3.13 半導体光デバイス

2016年3月20日(日) 09:00 〜 11:30 S321 (南3号館)

荒井昌和(宮崎大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

▲ [20a-S321-1] Temperature dependence of dark current characteristics of InAs/GaSb type-II superlattice photodiode

〇Balasekaran Sundararajan¹、Miura Kouhei¹、Machinaga Ken-ichi¹、Kimura Daisuke¹、Kawahara Takahiko¹、Migita Masaki¹、Obi Hiroshi¹、Toshiyuki Nitta¹、Inada Hiroshi¹、Iguchi Yasuhiro¹、Katsuyama Tsukuru¹ (1.Transmission Devices Laboratory, Sumitomo Electric Industries, Ltd., Yokohama, Japan)

09:15 〜 09:30

[20a-S321-2] 電荷敏感型赤外光子検出器(CSIP)における光カプラの研究

〇金鮮美¹、小宮山進²、林冠廷¹、パトラシンミカイル³、梶原優介¹ (1.東大生研、2.東大総文、3.情通研)

09:30 〜 09:45

[20a-S321-3] フォトニック結晶構造を導入した薄膜型光検出器の検討

〇顧之チン¹、井上大輔¹、平谷拓生¹、雨宮智宏¹、西山伸彦¹、荒井滋久¹ (1.東工大)

09:45 〜 10:00

[20a-S321-4] プロトン注入量子構造混晶化を用いたVCSELの特性評価

〇森脇翔平¹、齋藤季¹、宮本智之¹ (1.東工大精研)

10:00 〜 10:15

[20a-S321-5] Talbot効果による面発光レーザアレイ位相同期の波長分布の影響解析

〇(M1)小森雄貴¹、宮本智之¹ (1.東工大精密工学研究所)

10:15 〜 10:30

[20a-S321-6] 光無線給電に向けたトンネル接合破壊型VCSELアレーに関する検討

〇押田将平¹、須原壮¹、宮本智之¹ (1.東工大精研)

10:30 〜 10:45

[20a-S321-7] 面発光レーザの単一モード出力増大に向けたスローライトSOAの増幅特性

〇中濱正統¹、顧暁冬¹、坂口孝浩¹、松谷晃宏²、小山二三夫¹ (1.東工大精研、2.東工大技術部)

10:45 〜 11:00

[20a-S321-8] VCSEL構造を用いた高出力ソリッドステートビームスキャナ

〇中濱正統¹、顧暁冬¹、坂口孝浩¹、松谷晃宏²、小山二三夫¹ (1.東工大精研、2.東工大技術部)

11:00 〜 11:15

[20a-S321-9] サブ波長格子を用いたアサーマル波長可変面発光レーザの製作

〇井上俊也¹、中濵正統¹、松谷晃宏¹、坂口孝浩¹、小山二三夫¹ (1.東工大)

11:15 〜 11:30

△ [20a-S321-10] 横方向結合共振器を用いた面発光レーザの横モード制御

〇小林拓貴^1,2、中濵正統^1,2、小山二三夫^1,2 (1.東工大、2.精研)

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