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[21a-S011-1~12] 17.2 グラフェン

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:15 S011 (南講義棟)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[21a-S011-1] 【講演奨励賞受賞記念講演】高移動度グラフェンを用いたバリスティックかつコヒーレントな量子輸送現象の観測とその制御

〇森川生¹、増渕覚¹、守谷頼¹、渡邊賢司²、谷口尚²、Dou Ziwei³、Wang Shu-Wei³、Smith Charles³、Connolly Malcolm³、町田友樹^1,4,5 (1.東大生研、2.物材機構、3.Cambridge大Cavendish研、4.東大ナノ量子、5.CREST-JST)

09:15 〜 09:30

[21a-S011-2] 六方晶窒化ホウ素(hBN)/グラフェン/hBN構造におけるゼロ磁場中非局所抵抗

〇(PC)小松克伊^1,2、渡辺英一郎¹、津谷大樹¹、渡邊賢司¹、谷口尚¹、森山悟士¹ (1.物材機構、2.東工大)

09:30 〜 09:45

[21a-S011-3] 解離性イオン散乱を用いたグラフェンの弾性プローブ

〇持地広造¹、乾徳夫¹、盛谷浩右¹ (1.兵庫県立大院工)

09:45 〜 10:00

[21a-S011-4] グラフェン-分割リング共振器

〇鈴木哲¹、山本秀樹¹ (1.NTT物性基礎研)

10:00 〜 10:15

[21a-S011-5] ゼーベック係数の欠陥状態・キャリア散乱依存性

〇安野裕貴¹、竹井邦晴¹、秋田成司¹、有江隆之¹ (1.大阪府大院工)

10:15 〜 10:30

[21a-S011-6] トポロジカル欠陥のある hBN 基板のグラフェンの伝導

〇金子智昭^1,2、大野隆央^1,2,3 (1.物質・材料研究機構、2.高効率電デバコンソ、3.東大生産研)

10:45 〜 11:00

[21a-S011-7] 電気化学的手法による単層グラフェン/Au(111)の物性評価

〇保田諭¹、熊谷諒太¹、中島浩司¹、村越敬¹ (1.北大理院)

11:00 〜 11:15

[21a-S011-8] グラフェン触媒を援用した水中でのGe表面エッチングの基礎検討

〇(M2)森大地¹、中出和希¹、佐藤慎祐¹、川合健太郎¹、森田瑞穂¹、有馬健太¹ (1.阪大院工)

11:15 〜 11:30

▲ [21a-S011-9] Facile preparation and thermoelectric properties of reduced graphene oxide

〇(DC)Veluswamy Pandiyarasan¹、Masaya Wanami¹、Selvaraj Shanthi¹、Faiz Salleh²、Jeyaram Archana¹、Mani Navaneethan¹、Yasuhiro Hayakawa¹、Ikeda Hiroya¹ (1.Shizuoka Univ、2.Univ. of Malaya)

11:30 〜 11:45

[21a-S011-10] 酸化グラフェンからの高結晶性グラフェン薄膜におけるバンド伝導の起源

〇根岸良太¹、伊藤孝寛²、仲武昌史³、赤堀誠志⁴、渡辺義夫³、小林慶裕¹ (1.阪大院工、2.名大院工、3.あいちSRセンター、4.北陸先端大)

11:45 〜 12:00

[21a-S011-11] 水素終端処理したグラフェン／SiC(0001)におけるグラフェンの劣化
−電流通電が誘起した非常に遅い界面酸化−

〇前田文彦^1,2、高村真琴²、日比野浩樹^3,2 (1.福岡工大工、2.ＮＴＴ物性基礎研、3.関西学院大学理工)

12:00 〜 12:15

[21a-S011-12] グラフェン上金属微粒子の熱的挙動のその場観察

〇高橋惇郎¹、加藤大樹¹、籾内雄太¹、本間芳和¹ (1.東理大理)

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