2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19a-H111-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月19日(土) 09:00 〜 12:15 H111 (本館)

中野 匡規(東大)

10:00 〜 10:15

[19a-H111-5] 反応性RFスパッタ法で作製したCuCrO2薄膜の光透過性と構造物性

千葉 博1、川島 知之1、鷲尾 勝由1 (1.東北大院工)

キーワード:デラフォサイト型酸化物、反応性RFスパッタリング法、p形ワイドギャップ半導体

デラフォサイト型酸化物ABO2はp形透明酸化物半導体として有望視されており、特にCuCrO2は低抵抗材料として期待されている。しかし、可視光透過率や配向性の向上と副生成物(CuO, Cr2O3など)の低減も求められている。本研究では、RFスパッタ法において反応性のアルゴン窒素混合ガス(Ar/N2)の割合を変化し、可視光透過性と薄膜構造について検討した。