[19a-S423-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-S423-8] 集光型赤外線加熱炉を用いたハーフインチシリコンCVD装置(6)

〇李 寧¹、羽深 等¹、三ケ原 孝則²、池田 伸一^2,3、石田 夕起^2,3、原 史朗^2,3 (1.横国大院工、2.ミニマルファブ技術研究組合、3.産総研)

キーワード：ミニマルマニュファクチャリング、CVD、シリコン

集光型赤外線加熱炉を用いたCVD 装置による高温条件で膜の表面形態を改善するために
石英管の外側に送風装置を設置して効果を確認した。容器壁面の送風冷却により膜の表面が鏡面に維持される可能性がある。