[19a-S423-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-S423-9] ミニマル Si-CVD装置における熱対流の影響

〇三ケ原 孝則^1,2、三浦 典子¹、石田 夕起²、伊藤 孝宏³、池田 伸一²、羽深 等⁴、クンプアン ソマワン²、原 史郎² (1.ミニマルファブ、2.産総研、3.オリエンタルモーター、4.横浜国立大学)

キーワード：ミニマルファブ、半導体、CVD

ミニマルファブCVD装置を開発するためには、装置の小型化が、必要で装置に納めるガスボンベの容量を小さくしなければならない。前回の発表ではキャリアガスのH₂の流量を100 sccmまで削減できたが、流体シミュレーションでは、H₂流量200 sccmでは熱対流と強制対流が混在し、100 sccmでは熱対流による上昇流に支配されることが示めされた。H₂流量と成長速度の関係を調べ熱対流が成長に与える影響を評価した結果を報告する。