[19a-W833-1~8] 11.1 基礎物性

[19a-W833-3] ゲートチューナブルなNb/Bi₂Te₃/Nb接合の特性

〇明連 広昭¹、Ngabonziza Prosper²、Stehno Martin, P²、Brinkman Alexander² (1.埼玉大院、2.トウェンテ大)

キーワード：超伝導体、３次元トポロジカル絶縁、ジョセフソン接合

SrTiO₃(111)基板(STO基板)上にMBE法によりエピタキシャル成長したBi₂Te₃薄膜を用いてNb/Bi₂Te₃/Nb接合を作製し、基板をゲート絶縁体として用いることによりBi₂Te₃薄膜中の電子密度を操作して接合の電流-電圧特性等を測定したので報告する。