[19p-H103-1~21] 6.2 カーボン系薄膜

△ [19p-H103-13] 高耐圧・高電流密度を有するノーマリオフC-HダイヤモンドMOSFET

〇(B)工藤 拓也¹、北林 祐哉¹、山田 哲也¹、許 德琛¹、斎藤 俊輝¹、松村 大輔¹、林 佑哉¹、瀬下 裕志¹、平岩 篤¹、川原田 洋¹ (1.早大理工)

キーワード：ダイヤモンド、FET、半導体

我々は高温ALD-Al₂O₃によって誘起される2DHGをチャネル及びドリフト領域としたC-HダイヤモンドMOSFETを作製し, 673~10Kにわたる高温・低温での安定した動作特性及び耐圧特性を報告してきた。今回ゲート直下部分のC-Oチャネル化により、しきい値電圧V_thの制御かつ高耐圧・高電流密度を有するノーマリオフC-HダイヤモンドMOSFETが実現したので報告する。