2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月19日(土) 13:15 〜 19:00 H111 (本館)

上野 和紀(東大)、土屋 敬志(東理大)

17:00 〜 17:15

[19p-H111-15] Ta2O5固体電解質薄膜へのプロトン注入と膜質評価

今井 阿由子1、古谷 早苗1、住吉 研1 (1.NLTテクノロジー)

キーワード:固体電解質、酸化タンタル、スパッタ法

ITOガラス上に、WO3膜及び固体電解質であるTa2O5膜の積層膜を、スパッタにより作製した。その後、希硫酸中でサイクリックボルタンメトリ測定を行い、スパッタ圧力・膜焼成条件によるプロトン注入特性の変化を評価した。また、Ta2O5薄膜のAFM観察、エリプソメーター測定により、粒径・空孔率を評価した。評価の結果より、膜が低密度であるとプロトン注入特性が良好であることがわかった。