2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月19日(土) 13:15 〜 19:00 H111 (本館)

上野 和紀(東大)、土屋 敬志(東理大)

18:45 〜 19:00

[19p-H111-22] Zn1-XGeX-O多元系酸化物薄膜をn形層に用いるp形Cu2O系ヘテロ接合太陽電池

西 祐希1、山崎 丞路1、宮田 俊弘1、南 内嗣1 (1.金沢工大 OEDS R&D センター)

キーワード:Cu2O

p形Cu2O系ヘテロ接合太陽電池において,n形半導体層としてZn1-XGeX-O多元系酸化物薄膜を用いることにより,変換効率が大幅に改善できることを報告している1).本発表では,AZO/n形Zn1-XGeX-O薄膜/p形Cu2Oシート構造太陽電池において,得られる光起電力特性とZn1-XGeX-O薄膜のGe組成(X)(X;Ge/(Ge+Zn)原子比)及び成膜条件との関係について詳細に検討したので報告する.