[19p-H121-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19p-H121-13] Ⅲ族窒化物ナノワイヤを用いた端面発光レーザの理論的検討

〇栗崎 湧気¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大・理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：ナノワイヤ、半導体レーザ

現代社会は急速に情報化が進んでいる。それに伴い、光ディスクや光通信の技術の重要性が増している。そこで我々は高効率・高出力の半導体レーザの実現に対して、Ⅲ族窒化物ナノワイヤに注目した。周期利得を形成するように配置されたGaNナノワイヤ上Core-shell型GaN/GaInN MQWを活性層とし、非極性m面活性層からの発光を共振器内で増幅させる新構想の端面発光レーザについて検討を行った。光学利得係数の算出と光閉じ込め係数の理論計算を行った結果、従来構造の端面発光レーザに比べて優れた特性を示したので報告する。