[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-P12-10] 塗布熱分解法で成膜したCa₃Co₂O₆膜の結晶成長におよぼす焼成条件の影響

〇田橋 正浩¹、高橋 誠¹、後藤 英雄¹ (1.中部大学)

キーワード：カルシウム・コバルト酸化物

酸化物Ca₃Co₂O₆は1.3eV～1.4eVのバンドギャップを有するp形半導体であることが報告されている。我々は酸化物Ca₃Co₂O₆を光吸収層に用いた太陽電池の作製を目的と、塗布熱分解法(Metal Organic Deposition)によるCa₃Co₂O₆膜の結晶相などにおよぼす焼成条件の影響について調べたので報告する