[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-P12-17] 溶液法により作製したAl添加ZnO薄膜トランジスタの焼結雰囲気によるトランジスタ特性への影響

〇佐々木 祥太¹、木村 史哉¹、孫 屹¹、小山 政俊¹、前元 利彦¹ (1.阪工大ナノ材研)

キーワード：酸化物半導体、薄膜トランジスタ、溶液法