[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [19p-P12-19] High-Kゲート絶縁膜によるTFTの高性能化と低消費ReRAMの搭載

〇(D)鍋坂 恭平¹、山内 祥光¹、門 圭佑¹、藤井 茉美¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大物質創成科)

キーワード：フレキシブルデバイス、抵抗変化メモリ

近年，急速に技術開発が進展しているフレキシブルデバイスは，曲面や袋などに貼れ耐衝撃性に優れる等のメリットがある． TFT(薄膜トランジスタ)回路部などの研究が多く進められているが，さらにメモリ素子を組み込む事で消費電力が低下しウェアラブルデバイスとしての期待が高まっている． High-Kゲート絶縁膜をゲート−ドレイン間の抵抗変化膜として機能させることで，TFTの高性能化に低消費ReRAMを組み込むことができるのでその為の評価を行う．