[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-P12-21] ゾルゲル法を用いたZnO系TFTの作製と評価

〇大東 隆文¹、大溝 悠樹¹、小山 政俊¹、前元 利彦¹、佐々 誠彦¹ (1.大阪工大ナノ材研)

キーワード：酸化亜鉛、薄膜トランジスタ、ゾルゲル法

TFT用材料に，酸化物半導体が注目されている．TFTの作製には，スパッタ法などの真空プロセスが主に使われている．そこで非真空プロセスであるゾルゲル法を用い，より簡便にTFTを作製するプロセスを検討している．これまで，チャネル層材料は酸化亜鉛（ZnO）を主に使用し，焼結温度や中間乾燥温度などがTFTに与える影響について報告を行ってきた．今回はチャネル層にInおよびGaを添加して，ZnO-TFTとIGZO-TFTの特性評価報告を行う．