2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

合同セッションK » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2016年3月19日(土) 16:00 〜 18:00 P12 (屋内運動場)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-23] スパッタ堆積ZnO薄膜のキャリア生成とO1sスペクトルとの関係

〇(D)張 捷生1、佐藤 伸吾1、大村 泰久1、斉藤 正1 (1.関西大)

キーワード:ZnO薄膜、XPS測定、酸素スペクトル

本報告では、ノンドープした ZnO薄膜のXPS分析で得られたO1sスペクトルをガウスフィッティングによって分解し、各ピークと薄膜のキャリア濃度の関連を考察した結果を述べる。