[19p-P9-1~7] 9.1 誘電材料・誘電体

[19p-P9-2] AlN圧電薄膜へのMgとNbの添加効果

上原 雅人^1,3、〇(M1)重本 北斗³、長瀬 智美¹、會田 康弘²、梅田 圭一²、秋山 守人¹ (1.産総研、2.村田製作所、3.九大総理工)

キーワード：圧電薄膜、窒化アルミニウム、元素添加

ウルツ鉱型結晶構造をとるAlNは圧電材料として知られている。特に、Scを添加したAlNは高い圧電定数と機械結合係数を示すことが秋山らによって報告され、音声素子やMEMSデバイスへの利用に期待されている。しかし、Scは工業的に広く使用されておらず高価なため、代替元素についての研究が行われている。我々は種々の元素について調査した結果、MgとNbを添加すると圧電定数d₃₃が向上することを見出した。本稿ではその特性や構造について報告する。