[19p-S223-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[19p-S223-7] シリコン酸化膜熱脱離によるボイド内リング構造形成の雰囲気依存性

〇遠田 義晴¹、長内 翔大¹、小笠原 崇仁¹ (1.弘大院理工)

キーワード：シリコン酸化膜、熱脱離、ボイド構造

Si 基板上に形成した酸化膜(SiO₂)を無酸素雰囲気で加熱すると、ボイド状の不均一な分解脱離反応が生じることが知られている。さらにボイド内部のシリコン基板が露出した表面には、加熱冷却サイクルに対応する同心状のリング構造が形成され、このリング構造はSi 表面の凸凹であることが明らかになっている。しかしリング構造は常に形成されるわけではなく、ある発現条件が存在する。本研究では、その要因について調べた結果を報告する。