[19p-S223-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[19p-S223-9] 半導体プロセスのための人工知能融合吸着シミュレータの開発

〇佐藤 絵美¹、佐藤 愛美¹、小原 幸子¹、稲葉 賢二¹、石澤 由紀江¹、宮野 正之¹、三浦 隆治¹、鈴木 愛¹、宮本 直人¹、畠山 望¹、宮本 明¹、パトリック ボノー¹ (1.東北大学)

キーワード：半導体、吸着

Si は半導体材料の代表として位置付けられ様々な面から研究されており、表面の構造解析など原子レベルでの研究が進んでいるが、温度特性や吸着分子との相互作用など、課題は多い。
従来、モンテカルロ吸着シミュレーションで化学吸着を考慮したパラメータを決定する際には手動で行っていたが、より理論的にするために人工知能を融合した超高速量子分子動力学シミュレーションを用いたモンテカルロ法パラメータ開発を行っている。