[19p-S322-1~14] 1.5 計測技術・計測標準

[19p-S322-4] 1 MΩ集積化量子ホール素子の開発

〇大江 武彦¹、Sucheta Gorwadkar¹、板谷 太郎¹、金子 晋久¹ (1.産総研)

キーワード：高抵抗測定、量子ホール効果、GaAs/AlGaAs ヘテロ基板

近年、電子機器の小型化及び省エネルギー化により、電子部品の絶縁抵抗や微少な漏れ電流の
評価が肝要になりつつある。高抵抗の測定技術の向上に資する取り組みとして、量子ホール素子
を組み合わせた1 MΩ 集積化量子ホール素子の作製を開始した。これは、単一の量子ホール素子
（12.9 kΩ）を直並列に接続することにより量子化高抵抗を得るものであり、88 個のホールバーを直
列に接続した、1 MΩ の量子化高抵抗を示す素子を開発している。