2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月19日(土) 13:45 〜 18:15 S423 (南4号館)

中村 友二(富士通研)、角嶋 邦之(東工大)

18:00 〜 18:15

[19p-S423-17] 人工知能融合超高速量子分子動力学法の開発と半導体プロセスへの応用

稲葉 賢二1、佐藤 絵美1、佐藤 愛美1、小原 幸子1、石澤 由紀江1、宮野 正之1、三浦 隆治1、ボノー パトリック1、鈴木 愛1、宮本 直人1、畠山 望1、張山 昌論1、宮本 明1 (1.東北大学)

キーワード:量子分子動力学法、第一原理計算、人工知能

当研究室はこれまでに量子分子動力学計算を非常に高速化出来る手法を開発してきた.その手法では第一原理計算を再現できるパラメータを用いているが,モデルの巨大化,複雑化に伴い手動でのパラメータ作成が困難になってきた.そこで人工知能を用い自動でパラメータを作成,どのようなモデルでも量子分子動力学計算が容易に計算出来る手法を検討している.今回はその手法についてSiの酸化反応などを例に報告する.