[19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [19p-S423-4] CuIを原料とするLPCVD法によるCuの選択成長

〇西川 太二¹、山内 智¹ (1.茨大工)

キーワード：配線プロセス、銅、低圧化学気相堆積法