[19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19p-S423-9] メタルS/D型Ge n-MOSFETの寄生抵抗低減

〇(M1)建山 知輝¹、永冨 雄太¹、田中 慎太郎¹、山本 圭介²、王 冬¹、中島 寛² (1.九大総理工、2.九大産連センター)

キーワード：Ge MOSFET、寄生抵抗、S/D構造

我々はp型Geに対してTiNをスパッタ堆積することで低電子障壁を実現し，更にTiN-S/D型 n-MOSFETの動作を報告している．しかし，デバイスのEOTが50 nmと厚いこと，電子移動度が220 cm²Vs^-1と低いこと，等の課題がある．EOTを低減すれば，チャネル抵抗が低減して電流駆動力は向上する．しかし，S/Dの寄生抵抗(R_p) が大きい時にはR_pが駆動電流を律速する．今回，TiN-S/D型n-MOSFETにおけるR_pを調査し，S/Dの埋込み構造がR_pの低減に有効であるとの知見を得たので報告する．