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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.7 レーザープロセシング

[19p-W321-1~14] 3.7 レーザープロセシング

2016年3月19日(土) 13:30 〜 17:30 W321 (西2・3号館)

石川善恵(産総研)、和田裕之(東工大)、池上浩(九大)

17:00 〜 17:15

[19p-W321-13] ダブルパルスレーザーアブレーションによるTiO₂とNiのプルーム衝突過程

〇(B)片山慶太¹、浜岡克佳¹、青木珠緒¹、福岡寛³、吉田岳人²、杉村陽¹、梅津郁朗¹ (1.甲南理工、2.阿南高専、3.奈良高専)

キーワード：半導体、アブレーション

　　　