[19p-W541-1~14] 化合物薄膜太陽電池の高効率化技術の現在と未来

[19p-W541-9] III-V族多接合型太陽電池の動向について

〇高本 達也¹、鷲尾 英俊¹、十楚 博行¹ (1.シャープ)

キーワード：多接合、太陽電池、化合物半導体

様々な多接合構造のIII-V族化合物太陽電池の開発状況について述べる。著者らは、格子不整合系材料をボトムセルに用いた逆積み３接合型にて、37.9％（AM1.5G, 非集光）および44.4％（302倍集光）の高効率を達成している。最近の動向として、格子整合系材料であるGaAs基板上の多接合セルとInP基板上の多接合セルをウエハ接合により貼り合せた構造の４～5接合型による高効率化の進展が注目される。