[19p-W621-1~12] 8.4 プラズマエッチング

[19p-W621-10] C₄F₆分子の電子物性と解離

〇林 俊雄¹、石川 健治¹、関根 誠¹、堀 勝¹ (1.名古屋大学工)

キーワード：半導体、エッチング、C4F6

酸化膜エッチングガスとして、CF₄, C₂F₆, C₃F₈, c-C₄F₈, c-C₅F₈等が用いられている。また、最近ではC₄F₆も用いられるようになってきた。CF₄、c-C₄F_8、c-C₅F₈の解離過程については既に報告しているので、ここでは、C₄F₆の解離過程について報告する。