13:45 〜 14:00
[19p-W834-2] GaAsナノワイヤの成長後物質変換
キーワード:半導体ナノワイヤー、GaAs
Si基板上に成長したGaAsナノワイヤの材料変換を行う。面発光レーザーに用いられる技術に、成長後に酸化させることで絶縁層を作るものがある。成長後の材料変換は複雑な構造の素子の作成を可能にする。ナノワイヤにおいても成長後の材料変換を試みる。GaAsナノワイヤをInGaAsナノワイヤに置換する。
一般セッション(口頭講演)
9 応用物性 » 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子
13:45 〜 14:00
キーワード:半導体ナノワイヤー、GaAs