[20a-H101-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-H101-10] プロトンマイクロビーム照射によるSiC中の発光中心の形成

〇本多 智也^1,2、Kraus Hannes^2,3、加田 渉⁴、小野田 忍²、春山 盛善^2,4、佐藤 隆博²、江夏 昌志²、神谷 富裕²、川端 駿介^2,4、三浦 健太⁴、花泉 修⁴、土方 泰斗¹、大島 武² (1.埼玉大学、2.原子力機構、3.Würzburg大学、4.群馬大学)

キーワード：SiC、発光中心

SiC中の発光欠陥としてシリコン-空孔センターが知られている。本研究では、発光中心の生成位置や濃度から、イオンビームの照射位置や照射量をSiC結晶中のシリコン-空孔センターを指標として見積もる検出器として応用することができるかを検証した。共焦点蛍光顕微鏡を用いて、MeV級のプロトンマイクロビームを照射したSiC結晶のPLマッピングとPLスペクトルを測定することにより、発光中心の分布に関する知見を得た。