[20a-H101-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-H101-8] EBSD-Wilkinson法によるSiCウェハ加工変質層の局所歪み解析

〇着本 享^1,2、伊勢 立彦^1,3、橋本 哲²、櫻田 委大²、先崎 純寿¹、加藤 智久¹、児島 一聡¹ (1.産総研、2.JFEテクノリサーチ、3.旭ダイヤモンド工業)

キーワード：EBSD歪み解析、加工変質層

SEM-EBSD検出器及びWilkinson解析法を用いて、SiCウェハの研削加工によって形成される加工変質層の格子歪みや結晶方位を局所解析をおこない、加工変質層の素性を明らかにすることでウェハ反りとの相関について考察する。