[20a-H103-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

[20a-H103-6] 大面積ダイヤモンド基板上への合成におけるAr導入効果

〇山田 英明¹、茶谷原 昭義¹、杢野 由明¹ (1.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、マイクロ波プラズマＣＶＤ

複数の物性値が物質中最高水準であるダイヤモンドの広範な分野での応用実現にあたっては、合成効率の大幅な向上が望ましい。合成速度を向上する目的で、プラズマＣＶＤとしては比較的高いガス圧力を採用することにより、飛躍的な合成速度向上が可能であることが知られているが、プラズマが収縮し、合成面積を限定してしまう。窒素を微量に添加することでも合成速度を倍化することができるが、合成層への取り込みが避け難く、上記した合成面積の限定からは逃れられない。同様に、Ａｒを導入することで合成速度が向上することが報告されているが、これまでの報告では、数mm角程度の基板上への合成に限られている。本研究では、インチサイズの面積を持った大面積基板上への合成をＡｒを導入して実施し、一様性を維持しつつ、合成速度を向上させられる可能性について検討した。