09:45 〜 10:00
[20a-H111-3] ⼤気開放型CVDによる酸化亜鉛ウィスカーの成膜
キーワード:酸化亜鉛、ウィスカー
ワイドギャップ酸化物半導体である酸化亜鉛(ZnO)を⼤気開放型CVD法を⽤いてSi、サファイア基板上などに成膜し、ウィスカーの形成を確認した。カソードルミネッセンス測定により、ウィスカーから紫外から可視光領域に渡る発光を確認した。
一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
2016年3月20日(日) 09:15 〜 11:45 H111 (本館)
坂井 延寿(東大)
09:45 〜 10:00
キーワード:酸化亜鉛、ウィスカー