講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20a-H113-1~12] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2016年3月20日(日) 09:30 〜 12:45 H113 (本館)

沓掛健太朗(東北大)、永井勇太(グローバルウェーハズ・ジャパン)

10:30 〜 10:45

[20a-H113-5] 格子間酸素が育成中Si単結晶の点欠陥濃度に与える影響(2)

〇末岡浩治¹、中村浩三¹、ファンヘレモンｔイアン² (1.岡山県大情報工、2.ゲント大学)

キーワード：シリコン単結晶、点欠陥、格子間酸素

　　　