2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月20日(日) 08:45 〜 11:45 H121 (本館)

上山 智(名城大)、山口 敦史(金沢工大)

08:45 〜 09:00

[20a-H121-1] 高キャリア濃度n型m面GaN単結晶におけるホットキャリアの輻射再結合ダイナミクス

〇小島 一信1、池田 宏隆2、藤戸 健史2、秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.三菱化学（株）)

キーワード：GaN、Hot carrier