[20a-H135-1~12] 3.9 テラヘルツ全般

[20a-H135-4] TDTR法を用いたテラヘルツ検出用GaAs MEMS両持ち梁構造の評価

〇細野 優¹、張 亜¹、メーア ジェレミー¹、長井 奈緒美¹、肥後 昭男²、中野 義昭³、野村 政宏^1,4、平川 一彦^1,4 (1.東大生研、2.東北大WPI-AIMR、3.東大院工、4.東大ナノ量子機構)

キーワード：テラヘルツ検出、MEMS

我々は両持ち梁構造を有するMEMSを用いた室温動作テラヘルツ（THz）ボロメータを提案している。MEMS両持ち梁構造の高いQ値を利用して、両持ち梁にTHz電磁波が入射した際の温度上昇を、梁の共振周波数の変化として高感度に読み取るものである。本発表では、サーモリフレクタンス法（TDTR法）により、梁構造の基本的なパラメータである共振周波数、Q値、梁振動数の過渡変化について評価した結果について報告する。